Ваш браузер не поддерживает элементы с видео.
Оксид галлия может стать перспективным полупроводником для электроники нового поколения.
«Петербург и наши ученые подтверждают — город готов к выполнению поручений Президента России по развитию отечественной микроэлектроники, которые глава государства дал на совещании в четверг. Исследования ученых Политеха и их уникальный результат — очередное подтверждение высокого потенциала петербургских ученых. Город продолжит поддержку науки, молодых специалистов — это один из десяти приоритетов развития Петербурга», — подчеркнул губернатор Александр Беглов.
Исследователи Политехнического университета, совместив два ранее не сочетавшихся подхода, смогли получить инструмент, который создает основу для минимизации негативных последствий в технологическом процессе при производстве диодов, транзисторов и других элементов.
Практическое значение открытия для электроники многогранно. Открываются новые возможности в производстве полупроводников и разработке приборов для космической сферы.
В экстремальных условиях высокая радиационная стойкость оксида галлия делает его идеальным материалом для электроники, применяемой в космосе, а также для систем управления энергопотоками на АЭС, где важна устойчивость к высокоэнергетическим частицам.
Новый материал открывает перспективы для создания полупроводниковых переключателей, фотодетекторов и датчиков нового поколения.
«В Политехническом университете сильнейшая научная школа по микро- и наноэлектронике. Университет активно сотрудничает с промышленными предприятиями нашего города, расширяет партнёрство для обеспечения технологического суверенитета России», — отметил Александр Беглов.